收藏本站
μ PA2200T1M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C, All terminals are connected.)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Cut-off Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
TEST CONDITIONS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
V DS = 10 V, I D = 4 A
MIN.
1.0
3
TYP.
MAX.
1
± 10
2.5
UNIT
μ A
μ A
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V, I D = 8 A
V GS = 4.5 V, I D = 4 A
V DS = 10 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = 15 V, I D = 4 A,
V GS = 10 V,
R G = 10 Ω
18
23
870
160
80
9.2
3.4
31.7
23
31
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
5.3
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = 24 V,
V GS = 5 V,
I D = 8 A
8.7
3.0
3.2
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 8 A, V GS = 0 V
I F = 8 A, V GS = 0 V,
di/dt = 100 A/ μ s
0.85
22
15
1.2
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE
PG.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
10%
0
V GS
90%
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
V GS
0
I D
Wave Form
I D
0 10%
90%
I D
90%
10%
PG.
50 Ω
V DD
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
2
Data Sheet G19445EJ1V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
UPA2201T1M-T1-AT MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
UPA2211T1M-T1-AT MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM
UPA2520T1H-T2-AT MOSFET N-CH 30V VSOF
UPA2521T1H-T2-AT MOSFET N-CH 30V VSOF
UPA2550T1H-T2-AT MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF
UPA2590T1H-T2-AT MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF
UPA2716AGR-E1-AT MOSFET LV 8SOP
UPA2719AGR-E1-AT MOSFET LV 8SOP
相关代理商/技术参数
UPA2201T1M-T1-AT 功能描述:MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA2210T1M-T1-AT 功能描述:MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA2211T1M-T1-AT 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA2350T1G-E4 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2350T1P 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2353 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2353T1G-E4-A 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2354 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR